半导体器件特性图示仪:

产品介绍:该产品广泛用于微波半导体器件(MESFET、MOSFET、功率PHEMT、HEMT、双极晶体管、二极管等)的直流特性的测试,主要功能及特点如下:
  1)利用窄脉冲测试方法,有效克服微波半导体器件在低频和直流测试条件下存在的电子陷阱效应、自热效应,得到器件的真实直流特性。
  2)可得到器件的输出特性、输入特性和击穿特性曲线,并具有游标显示功能。自带建模分析软件。

指  标

NC4832

NC4833

 
(集电极)程控电压

输出电压范围

0~±15V

0~±20V
0
~±80V

精 度

±(2%+20mV)

±(2%+60mV),
±(2%+300mV)

输出电流容量

0~+15V7A
0
~-15V1.5A

0~±20V2A
0
~±80V0.5A

栅极程控
电压信号

输出电压范围

0~±10V

0~±18V

精度

±(2%+15mV)

±(2%+60mV)

输出电流容量

100mA

100mA

基极程控
电流源
 

输出电流范围

0~±1mA
0
~±10mA
0
~±100mA
0
~±160mA
分四档

0~±250uA
0
~±1mA
0
~±10mA
0
~±125mA
分四档

精 度

1mA

±(3%+2μA)

250uA

±(3%+2μA)

10mA

±(3%+20μA)

1mA

±(3%+8μA)

100mA

±(3%+200μA)

10mA

±(3%+80mA )

160mA

±(3%+300μA)

125mA

±(3%+1mA )

频 率

漏极脉冲频率

1K2K4K8K10K16K
33K
可选,精度:±5

1K2K4K8K10K16K
33K
可选,精度:±5

漏极脉冲宽度

2μS4μS8μS16μS或阶梯
信号可选,精度:±5

2μS4μS8μS16μS或阶梯信号可选(0~±20V),精度:±5

上升下降沿

500nS

500nS(0~±20V)

测量精度

电 压

±(5+量化误差)

±(5+量化误差)

电 流

±(5+量化误差)

±(5+量化误差)

选 件

 

测试夹具,防止被测器件自激。

测试夹具,防止被测器件自激。

外形尺寸

 

500mm×483mm×222mm

500mm×483mm×222mm


 

   
            注:详情请咨询 0311-87091270  陈女士



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