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28V功放调制驱动器芯片

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28V功放调制驱动器芯片

NCD10C

NCD10C

 工作温度：-55℃~+125℃
 典型工作电压：28V
 驱动能力：2A
 输出高电平：28V
 输出低电平：14.5V
 驱动高压 PMOS 功率管
 负控正延迟时间可调
 最高频率可达 100KHz 1)
 关断放电功能
NCD11C

NCD11C

 工作温度：-55℃~+125℃
 典型工作电压：28V
 驱动能力：1.5A
 输出高电平：28V
 输出低电平：14.5V
 驱动高压 PMOS 功率管
 负控正延迟时间可调
 最高频率可达 100KHz 1)
 关断放电功能
NCD12C

NCD12C

 工作温度：-55℃~+125℃
 典型工作电压：28V
 驱动能力：1A
 输出高电平：28V
 输出低电平：14.5V
 驱动高压 PMOS 功率管
 负控正延迟时间可调
 最高频率可达 100KHz (1)
 关断放电功能
NCD13C

NCD13C

 工作温度：-55℃～+125℃
 典型工作电压：28V
 驱动能力：1.5A
 输出高电平：28V
 输出低电平：14.5V
 驱动高压 PMOS 功率管
 最高频率可达 100KHz 1)
 关断放电功能
NCD14C

NCD14C

 工作温度：-55℃～+125℃
 典型工作电压：28V
 驱动能力：1A
 输出高电平：28V
 输出低电平：14.5V
 驱动高压 PMOS 功率管
 最高频率可达 100KHz 1)
 关断放电功能
NCD10Q

NCD10Q

 工作温度：-55℃~+125℃
 典型工作电压：28V
 最大电流：10A
 VS 电平：14.5V
 集成 PMOS 功率管
 负控正延迟时间可调
 最高频率可达 100KHz 1)
 QFN32 封装 5mm×5mm×0.75mm
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