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NCD36C

NCD36C

 工作温度：-55℃~+125℃
 典型工作电压：50V
 驱动能力：1.5A
 HO输出高电平：50V
 HO输出低电平：37V
 驱动高压PMOS功率管
 负控正延迟时间可调
 最高频率可达300KHz1)
NCD03C-1P5B

NCD03C-1P5B

 输出尖峰电流：1.5A
 典型工作电压：5～18V
 输出端口阻抗：4.5Ω
 静态电流：0.5mA
 上升/下降沿时间：20ns/25ns
 延迟时间：20ns
NCD36Q

NCD36Q

 工作温度：-55℃~+125℃
 典型工作电压：50V
 驱动能力：1.5A
 HO输出高电平：50V
 HO输出低电平：37V
 驱动高压PMOS功率管
 负控正延迟时间可调
 最高频率可达300KHz1)
 QFN32封装5mm×5mm×0.75mm
NCD03C-1P5C

NCD03C-1P5C

 输出尖峰电流：1.5A
 典型工作电压：5～18V
 输出端口阻抗：4.5Ω
 静态电流：0.5mA
 上升/下降沿时间：20ns/25ns
 延迟时间：20ns
NCD10C

NCD10C

 工作温度：-55℃~+125℃
 典型工作电压：28V
 驱动能力：2A
 输出高电平：28V
 输出低电平：14.5V
 驱动高压 PMOS 功率管
 负控正延迟时间可调
 最高频率可达 100KHz 1)
 关断放电功能
NCD04C-03A

NCD04C-03A

 输出尖峰电流：3A
 典型工作电压：5～18V
 输出端口阻抗：2.5Ω
 静态电流：0.5mA
 上升/下降沿时间：20ns/25ns
 延迟时间：20ns
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